Università degli Studi di Udine OpenUniud - Archivio istituzionale delle tesi di dottorato
 

OpenUniud - Archivio istituzionale delle tesi di dottorato >
Udine Thesis Repository >
01 - Tesi di dottorato >

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/10990/700

Autori: Lizzit, Daniel
Supervisore afferente all'Università: ESSENI, DAVID
Centro di ricerca: DIPARTIMENTO INGEGNERIA ELETTRICA GESTIONALE MECCANICA - DIEG
Titolo: Advanced models for simulation of planar and gate-all-around nanoscale MOSFETs
Abstract (in inglese): The aim of this thesis is the development and validation of TCAD tools for both the purpose of device performance analysis and performance improvement. We first present a comparative simulation study of ultra-thin-body strained silicon and III-V semiconductor based MOSFETs by using a comprehensive semiclassical Multisubband Monte Carlo transport model. We then present a new model for the surface roughness scattering. The model is suitable for bulk, for ultra-thin-body and for hetero-structure quantum well MOSFETs. Comparison with experimental mobility for Si bulk MOSFETs shows that a good agreement with measured mobility can be obtained with a r.m.s. value of the surface roughness spectrum close to several AFM and TEM measurements. Finally, we developed a deterministic solver for the Boltzmann transport equation for gate-all-around circular MOSFETs. In particular, we solve the Schrodinger equation for arbitrary crystal transport directions within the effective mass approximation including the wave-function penetration into the oxide and the nonparabolicity of the energy dispersion relation along the quantization plane and transport direction. Then, the BTE is solved without any a-priori assumption and including the main scattering mechanisms responsible for performance degradation, with a new model for the SR scattering
Parole chiave: MOSFETs; Surface roughness; Gate-all-around; Mobility; Electron transport; Scattering; Quantization; BTE
MIUR : Settore ING-INF/01 - Elettronica
Lingua: eng
Data: 8-apr-2016
Corso di dottorato: Dottorato di ricerca in Ingegneria industriale e dell'informazione
Ciclo di dottorato: 28
Università di conseguimento titolo: Università degli Studi di Udine
Luogo di discussione: Udine
Citazione: Lizzit, D. Advanced models for simulation of planar and gate-all-around nanoscale MOSFETs. (Doctoral Thesis, Università degli Studi di Udine, 2016).
In01 - Tesi di dottorato

Full text:

File Descrizione DimensioniFormatoConsultabilità
Lizzit_PhDThesis.pdfTesi di dottorato10,07 MBAdobe PDFVisualizza/apri


Tutti i documenti archiviati in DSPACE sono protetti da copyright. Tutti i diritti riservati.


Segnala questo record su
Del.icio.us

Citeulike

Connotea

Facebook

Stumble it!

reddit


 

  ICT Support, development & maintenance are provided by CINECA. Powered on DSpace SoftwareFeedback CINECA